Etude Monte-Carlo du transport dans un gaz d'électrons bidimensionnel dégénéré

M. Mouis , P. Dollfus , R. Castagné

Pour simuler le transport dans le canal d'accumulation d'un transistor à effet de champ en régime de forte accumulation, nous avons mis au point un logiciel de simulation Monte-Carlo à champ constant tenant compte du caractère bidimensionnel du gaz d'électrons. Ce modèle inclut la quantification de la bande de conduction ; il utilise les interactions calculées numériquement après résolution de l'équation de Schrôdinger. C'est d'autre part le premier modèle Monte-Carlo du gaz 2D qui prenne en compte le principe d'exclusion de Pauli. Nous présentons les résultats obtenus en fonction de l'intensité du confinement, pour 2 températures et selon que l'on tient compte ou non du principe d'exclusion.

Mots clés: accumulation layers; electron gas; Monte Carlo methods; numerical simulation; degenerate two dimensional electron gas; electron transport; field effect transistor; accumulation; Monte Carlo particle model; conduction band quantization; Schrodinger equation; Pauli exclusion principle

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M. Mouis, P. Dollfus, R. Castagné. Etude Monte-Carlo du transport dans un gaz d'électrons bidimensionnel dégénéré. Revue de Physique Appliquée, 1989, 24 (2), pp.183-188. ⟨10.1051/rphysap:01989002402018300⟩. ⟨jpa-00246040⟩