Etude par simulation Monte Carlo des effets induits dans un TEGFET par le transfert spatial

M. Mouis , P. Dollfus , B. Mougel , J.-F. Pône , R. Castagné

La simulation de dispositifs TEGFETs a permis d'éclaircir l'influence du transfert spatial sur le mécanisme de saturation du courant de drain dans ce type de transistor. Dans le TEGFET à grille longue (1 μm), ce phénomène n'apparaît pas et le courant de drain est saturé par pincement du canal. Dans le TEGFET à grille courte (0,5 μm), à la fois le transfert spatial et le transfert intervallées interviennent, mais sans être directement la cause de la saturation. Néanmoins le transfert spatial empêche la formation d'un domaine dipolaire ; le courant de drain est alors contrôlé par le rétrécissement du canal sous la grille. Les électrons défocalisés restent sous l'influence de la tension de drain, provoquant ainsi une forte conductance de drain. On remarque également que le transfert spatial répartit le courant dans les différentes couches conductrices sans modifier le courant de drain total. Dans un dispositif à deux drains — l'un collectant les électrons du canal, l'autre les électrons transférés — le transfert spatial permet d'obtenir une résistance différentielle négative.

Mots clés: high electron mobility transistors; Monte Carlo methods; negative resistance; semiconductor device models; simulations; Monte Carlo study; TEGFET; real space transfer; saturation; drain current; channel pinch off; negative differential resistance

Domaines: Articles anciens

M. Mouis, P. Dollfus, B. Mougel, J.-F. Pône, R. Castagné. Etude par simulation Monte Carlo des effets induits dans un TEGFET par le transfert spatial. Revue de Physique Appliquée, 1987, 22 (11), pp.1495-1500. ⟨10.1051/rphysap:0198700220110149500⟩. ⟨jpa-00245702⟩