MESFET GaAs à grille interrompue. Analyse du fonctionnement pour la photo-détection

D. Pascal , P. Dansas , C. Bru , S. Laval

Une nouvelle structure de FET dans laquelle la grille est interrompue sur une certaine distance est décrite et son fonctionnement en tant que photo-détecteur est analysé. On montre comment les résistances d'accès sont modulées en obscurité par la tension grille en régime quasi continu. La réponse à un éclairement quasi stationnaire est étudiée : elle est maximale quand le canal est complètement pincé. La réponse à un éclairement impulsionnel picoseconde présente deux composantes : l'une, rapide, de photo-diode, l'autre, plus lente, de photo-résistance.

Mots clés: gallium arsenide; III V semiconductors; photodetectors; Schottky gate field effect transistors; semiconductor; MESFET; interrupted gate; OPFET; photo detector; access resistances; picosecond light pulses; GaAs

Domaines: Articles anciens

D. Pascal, P. Dansas, C. Bru, S. Laval. MESFET GaAs à grille interrompue. Analyse du fonctionnement pour la photo-détection. Revue de Physique Appliquée, 1987, 22 (8), pp.931-934. ⟨10.1051/rphysap:01987002208093100⟩. ⟨jpa-00245634⟩