Microstructures III-V sous pression hydrostatique

P. Lefebvre , B. Gil , H. Mathieu

De récentes mesures de photoluminescence sous pression hydrostatique effectuées sur des puits quantiques III-V de type I montrent un comportement caractéristique de ces microstructures. De manière générale, le coefficient de pression des transitions optiques dans ces structures est inférieur à celui du matériau massif. En comparant les résultats expérimentaux disponibles avec un calcul théorique, nous sommes amenés à distinguer le cas des puits quantiques profonds dans les matériaux à petits gaps de celui des puits peu profonds dans des matériaux à grands gaps. Nous montrons comment, aux effets de la non-parabolicité, sensibles dans ces deux cas, se rajoutent, dans le second cas seulement, ceux de la délocalisation de 1'exciton dans les barrières.

Mots clés: high pressure effects in solids; III V semiconductors; luminescence of inorganic solids; semiconductor junctions; nonparabolicity; hydrostatic pressure; photoluminescence; type I quantum wells; optical transitions; quantum wells; exciton

Domaines: Articles anciens

P. Lefebvre, B. Gil, H. Mathieu. Microstructures III-V sous pression hydrostatique. Revue de Physique Appliquée, 1987, 22 (8), pp.859-866. ⟨10.1051/rphysap:01987002208085900⟩. ⟨jpa-00245624⟩