Comportement à deux modes de Ga(x)In(1 - x)P ? Diffusion Raman résonnante par les modes rendus actifs par le désordre

Eléna Bedel-Pereira , Robert Carles , Georges Landa , J.B. Renucci

Une analyse critique des résultats déjà obtenus sur les propriétés vibratoires des alliages Ga(x)In(1-x)P jointe à une étude expérimentale des symétries et des résonances des structures Raman, au voisinage de E(Γ), conduisent à la remise en cause du comportement à un mode des modes de grandes longueurs d'onde dans ce système.

Mots clés: energy gap; gallium compounds; indium compounds; lattice dynamics; Raman spectra of inorganic solids; vibrational states in disordered systems; resonance Raman scattering; III V semiconductors; two mode behaviour; Ga sub x In sub 1 x P; disorder induced modes; vibrational properties; symmetry; direct band gap; long wavelength optical modes

Domaines: Articles anciens

Eléna Bedel-Pereira, Robert Carles, Georges Landa, J.B. Renucci. Comportement à deux modes de Ga(x)In(1 - x)P ? Diffusion Raman résonnante par les modes rendus actifs par le désordre. Revue de Physique Appliquée, 1984, 19 (1), pp.17-20. ⟨10.1051/rphysap:0198400190101700⟩. ⟨jpa-00245151⟩