Etude théorique et expérimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction

A. Cappy , A. Vanoverschelde , J. Zimmermann , P. Philippe , C. Versnaeyen , G. Salmer

La dynamique des électrons dans un gaz bidimensionnel est étudiée par la méthode de Monte-Carlo. Les hétérojonctions envisagées sont GaAs/GaAlAs et GaInAs/InP. Ces résultats sont alors utilisés pour une modélisation du transistor à hétérojonction (TEGFET). Une comparaison de cette structure avec le TEC conventionnel est effectuée dans les deux applications suivantes : l'amplification faible bruit et les circuits logiques à couplage direct. Une supériorité intrinsèque du TEGFET dans chacune de ces applications est mise en évidence.

Mots clés: aluminium compounds; field effect transistors; gallium arsenide; indium compounds; Monte Carlo methods; p n heterojunctions; semiconductor device models; direct coupled FET logic circuits; GaAs GaAlAs heterojunction; III V semiconductor; electron dynamics; two dimensional electron gas; Monte Carlo procedure; GaInAs InP heterojunctions; theoretical TEGFET model; low noise amplifier; DCFL circuits

Domaines: Articles anciens

A. Cappy, A. Vanoverschelde, J. Zimmermann, P. Philippe, C. Versnaeyen, et al.. Etude théorique et expérimentale du transistor à effet de champ à hétérojonction. Revue de Physique Appliquée, 1983, 18 (11), pp.719-726. ⟨10.1051/rphysap:019830018011071900⟩. ⟨jpa-00245136⟩