Hétérojonctions ZnTe/GaAlSb préparées par épitaxie en phase liquide
Résumé
Des hétérojonctions (p) ZnTe/(n) Ga1-xAl xSb ont été obtenues par épitaxie en phase liquide de Ga1- xAlxSb dopé au tellure sur substrat ZnTe dopé au phosphore, la concentration en AlSb des couches épitaxiées variant de 0 à 0,60. La présence, à l'interface substrat-dépôt, d'un alliage quinaire (Ga1-xAlx)1- yZnySb1-zTe z a été mise en évidence par analyse des structures à l'aide d'une microsonde électronique de Castaing. Les couches épitaxiées, de type n, sont fortement dopées au tellure (de l'ordre de 1 % atomique). Une diffusion des éléments Ga, Al et Sb du dépôt dans le substrat de ZnTe a été détectée par S.I.M.S. sur une profondeur d'environ 10 μ. Cette diffusion rend le ZnTe semi-isolant, et luminescent dans le rouge. L'analyse des caractéristiques courant-tension à diverses températures laisse supposer que le courant direct est un courant de recombinaison de trous excités thermiquement dans la bande de valence. L'étude de la réponse spectrale montre que seuls les porteurs minoritaires du côté de ZnTe participent à la conduction sous éclairement. Une structure de bandes d'énergie est proposée pour une hétérojonction (p) ZnTe/(n) Ga0,40Al0,60Sb.
Mots clés
ZnTe GaAlSb heterojunctions
liquid phase epitaxy
substrate deposit interface
quinary alloy
Ga sub 1 x Al sub x sub 1 y Zn sub y Sb sub 1 z Te sub z
electron microprobe analysis
diffused zones
red cathodoluminescent
temperature dependence
forward I V characteristics
space charge recombination current
spectral response
minority photocarriers
band structure
Ga sub 0.40 Al sub 0.60 Sb
Ga sub 1 x Al sub x Sb:Te
ZnTe:P
ZnTe substrate
dark conduction
GaAlSb
p n heterojunction
n type epilayers
aluminium compounds
cathodoluminescence
gallium compounds
II VI semiconductors
III V semiconductors
liquid phase epitaxial growth
luminescence of inorganic solids
p n heterojunctions
photoconductivity
zinc compounds
Domaines
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Origine : Accord explicite pour ce dépôt
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