Cellules solaires au GaAlAs/GaAs à faible et fort niveaux de courant. Optimisation détaillée du rendement de conversion

J.E. Bourée , F. Therez

L'étude proposée concerne l'optimisation du rendement des cellules au GaAlAs en fonction du niveau du courant, de la résistance série, de la température et en précise les limites dues aux différents paramètres physiques et technologiques. Une méthode détaillée de simulation numérique complète les résultats d'une étude classique des caractéristiques du fonctionnement des cellules solaires au GaAlAs/GaAs. L'analyse des principales propriétés photovoltaïques permet l'étude comparative des diverses structures. La théorie approfondie fait apparaître une modification des lois de conduction. Les valeurs des paramètres physiques qui rendent optimum le rendement de conversion à faible et fort niveaux de courant sont revues à partir de ces résultats. Les effets dus à l'élévation de la température, à la conduction non uniforme et aux distorsions des bandes d'énergie pour les dopages élevés sont développés.

Mots clés: aluminium compounds; gallium arsenide; p n heterojunctions; photoconductivity; photovoltaic effects; solar cells; GaAlAs GaAs solar cells; conversion efficiency; concentration ratio; series resistance; temperature; numerical analysis; solar cell characteristics; photovoltaic properties; conduction law; III V semiconductors; p n junctions

Domaines: Articles anciens

J.E. Bourée, F. Therez. Cellules solaires au GaAlAs/GaAs à faible et fort niveaux de courant. Optimisation détaillée du rendement de conversion. Revue de Physique Appliquée, 1980, 15 (2), pp.245-255. ⟨10.1051/rphysap:01980001502024500⟩. ⟨jpa-00244722⟩