Méthode itérative de calcul des concentrations en éléments donneurs et accepteurs d'un semiconducteur faiblement dopé : application au cas de GaAs de type n

Didier Lemoine , C. Pelletier , S. Rolland , R. Granger

Lors de la recherche des concentrations en impuretés dans un semiconducteur, il a toujours été fait abstraction jusqu'à présent de la valeur réelle du facteur de dispersion rH qui a été prise constante et égale à 1. Or, cette valeur peut dans certains cas atteindre et même dépasser 1,5. Une méthode numérique itérative est développée ici dans le cas de GaAs de type n, permettant de calculer à la fois la valeur du facteur de dispersion rH en fonction de la température et les concentrations en impuretés de l'échantillon considéré.

Mots clés: III V semiconductors; impurity distribution; iterative methods; semiconductor doping; weakly doped semiconductor; GaAs; dispersion factor; numerical iterative method; impurity concentrations; iterative method; donor elements; acceptor elements

Domaines: Articles anciens

Didier Lemoine, C. Pelletier, S. Rolland, R. Granger. Méthode itérative de calcul des concentrations en éléments donneurs et accepteurs d'un semiconducteur faiblement dopé : application au cas de GaAs de type n. Revue de Physique Appliquée, 1977, 12 (5), pp.877-883. ⟨10.1051/rphysap:01977001205087700⟩. ⟨jpa-00244254⟩