Étude de la préparation et des propriétés électriques de couches minces semiconductrices d'antimoniure d'aluminium

J.P. David , L. Capella , L. Laude , S. Martinuzzi

Nous avons réalisé des couches minces du composé AlSb présentant des propriétés semiconductrices semblables à celles du matériau massif. La technique de préparation utilise l'évaporation simultanée des éléments constituants dans des proportions stoechiométriques. Pour des températures de recuit supérieures ou égales à 650 °C, seul le composé AlSb cristallise à partir des phases liquides des composants, alors qu'il est accompagné d'une phase antimoine résiduelle pour des recuits effectués entre 520 et 650 °C. Les couches sont toutes de type p et leur conductibilité varie entre 0,05 et 0,5 Ω-1 cm-1 à 250 °C. L'étude de la transmission (I. R. et visible) et de la réflexion optique de ces couches conduit à une largeur de bande interdite optique de 1,90 eV associée à une transition indirecte nécessitant une énergie d'activation de 1,50 eV. Ces résultats sont confirmés par la variation spectrale de la photoconductibilité.

Mots clés: Thin films; Vapor deposition; Operating mode; Electrical conductivity; Hall effect; Reflection spectrum; Energy gap; Activation energy; Aluminium antimonides; Semiconductor materials; Experimental study

Domaines: Articles anciens

J.P. David, L. Capella, L. Laude, S. Martinuzzi. Étude de la préparation et des propriétés électriques de couches minces semiconductrices d'antimoniure d'aluminium. Revue de Physique Appliquée, 1966, 1 (3), pp.172-178. ⟨10.1051/rphysap:0196600103017201⟩. ⟨jpa-00242710⟩