Percolation and superconductivity in ion-implanted aluminium films

Abstract : Ion implantation of Si and Ge in Al thin films at 8 K produces alloys exhibiting enhanced superconducting transition temperatures (up to 8.35 K for Al 60Si40) and a metal-non metal transition at a volume concentration of 45 % Si. These results are compared to those obtained by other authors on films prepared by evaporation on cold substrate.
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Journal de Physique Lettres, 1977, 38 (21), pp.435-437. <10.1051/jphyslet:019770038021043500>


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Contributeur : Archives Journal de Physique <>
Soumis le : samedi 1 janvier 1977 - 08:00:00
Dernière modification le : mardi 4 mars 2008 - 10:47:35
Document(s) archivé(s) le : lundi 3 mai 2010 - 18:29:05

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Frédéric Meunier, P. Pfeuty, A.M. Lamoise, J. Chaumont, H. Bernas, et al.. Percolation and superconductivity in ion-implanted aluminium films. Journal de Physique Lettres, 1977, 38 (21), pp.435-437. <10.1051/jphyslet:019770038021043500>. <jpa-00231414>

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