Superconducting properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures

Abstract : Using a recent modification of the Orsay ion implantor, Al, O, He, H and D were implanted into Al thin films at temperatures below 6 K. The critical temperature Tc of the implanted films depends on the implanted ion dose and range distribution as well as on radiation damage effects. The higher limit of Tc ranges from 2.7 K to 4.1 K for Al, O and He implantations. It reaches 6.75 K for H, at an average concentration near AlH2.
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Journal de Physique Lettres, 1975, 36 (11), pp.271-273. <10.1051/jphyslet:019750036011027100>


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Contributeur : Archives Journal de Physique <>
Soumis le : mercredi 1 janvier 1975 - 08:00:00
Dernière modification le : jeudi 9 février 2017 - 15:55:49
Document(s) archivé(s) le : lundi 3 mai 2010 - 18:10:55

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A.M. Lamoise, J. Chaumont, Frédéric Meunier, H. Bernas. Superconducting properties of aluminium thin films after ion implantation at liquid helium temperatures. Journal de Physique Lettres, 1975, 36 (11), pp.271-273. <10.1051/jphyslet:019750036011027100>. <jpa-00231206>

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