New insights into low frequency noise (LFN) sources analysis in GaN/Si MIS-HEMTs

R. Kom Kammeugne (1) , C. Theodorou (2) , C. Leroux (3) , L. Vauche (3) , X. Mescot (2) , R. Gwoziecki (3) , S. Becu (3) , M. Charles (3) , E. Bano (2) , G. Ghibaudo (2)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

R. Kom Kammeugne, C. Theodorou, C. Leroux, L. Vauche, X. Mescot, et al.. New insights into low frequency noise (LFN) sources analysis in GaN/Si MIS-HEMTs. Solid-State Electronics, 2023, 200, pp.108555. ⟨10.1016/j.sse.2022.108555⟩. ⟨hal-03897338⟩