Light Emission in Nd Doped Si-Rich HfO2 Films Prepared by Magnetron Sputtering - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Electronic Materials Année : 2020

Light Emission in Nd Doped Si-Rich HfO2 Films Prepared by Magnetron Sputtering

Domaines

Optique / photonique Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Electromagnétisme Physique Numérique [physics.comp-ph] Optique [physics.optics] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Matériaux

Julien Cardin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03792536

Soumis le : vendredi 30 septembre 2022-11:16:27

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:13

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hal-03792536 , version 1 (30-09-2022)

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Citer

T. Torchynska, L. Vega Macotela, L. Khomenkova, F. Gourbilleau. Light Emission in Nd Doped Si-Rich HfO2 Films Prepared by Magnetron Sputtering. Journal of Electronic Materials, 2020, 49 (6), pp.3441-3449. ⟨10.1007/s11664-019-07847-7⟩. ⟨hal-03792536⟩

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