Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition for Silicon‐Based Technology Compatible with Low‐Temperature (≤220 °C) Flexible Substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2020

Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition for Silicon‐Based Technology Compatible with Low‐Temperature (≤220 °C) Flexible Substrates

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Laurent Pichon  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03776598

Soumis le : mardi 13 septembre 2022-21:41:32

Dernière modification le : vendredi 13 octobre 2023-11:55:43

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hal-03776598 , version 1 (13-09-2022)

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Citer

Kai Yang, Olivier de Sagazan, Laurent Pichon, Anne-Claire Salaün, Nathalie Coulon. Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition for Silicon‐Based Technology Compatible with Low‐Temperature (≤220 °C) Flexible Substrates. physica status solidi (a), 2020, 217 (5), pp.1900556. ⟨10.1002/pssa.201900556⟩. ⟨hal-03776598⟩

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