Commutateur RF fabriqué à partir de matériau 2D

S. Skrzypczak (1, 2) , Myungsoo Kim (3) , Guillaume Ducournau (1, 4) , Dominique Vignaud (1, 5) , Remy Gassilloud (6) , Cresti A. (7) , J. David-Vifflantzeff (3) , Yves Deblock (1, 8) , Jawad Hadid (1, 5) , Etienne Okada (1, 9) , Vanessa Avramovic (9, 1) , Henri Happy (1) , Deji Akinwande (3) , Emiliano Pallecchi (2, 1)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 CARBON - IEMN - Carbon - IEMN
3 University of Texas at Austin [Austin]
4 PHOTONIQUE THZ - IEMN - Photonique THz - IEMN
5 EPIPHY - IEMN - EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
7 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
8 CMNF - IEMN - Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
9 PCMP - IEMN - Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN

Les commutateurs RF sont utilisés dans les modules de communication sans fils (transmetteurs) et dans les systèmes où la reconfiguration est nécessaire. Ce travail présente des commutateurs RF à base de matériau 2D (MoS2 et hBN) avec des accès coplanaires optimisés et compatibles avec des pointes de mesures radiofréquences, d’espacement de 50/100µm. Les dispositifs ont été caractérisés en DC et dans la bande 0.25-67GHz. Les commutateurs sont non-volatiles et possèdent un ratio ON/OFF de 29dB @ 50GHz

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

S. Skrzypczak, Myungsoo Kim, Guillaume Ducournau, Dominique Vignaud, Remy Gassilloud, et al.. Commutateur RF fabriqué à partir de matériau 2D. XXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France. ⟨hal-03702712⟩