An atomistic insight into reactions and free-energy profiles of NH3 and Ga on GaN surfaces during the epitaxial growth - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 2022

An atomistic insight into reactions and free-energy profiles of NH3 and Ga on GaN surfaces during the epitaxial growth

Mauro Boero
  • Fonction : Auteur
Kieu My Bui
  • Fonction : Auteur
Kenji Shiraishi
  • Fonction : Auteur
Kana Ishisone
  • Fonction : Auteur
Yoshihiro Kangawa
  • Fonction : Auteur
Atsushi Oshiyama
  • Fonction : Auteur
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hal-03694206 , version 1 (13-06-2022)

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Citer

Mauro Boero, Kieu My Bui, Kenji Shiraishi, Kana Ishisone, Yoshihiro Kangawa, et al.. An atomistic insight into reactions and free-energy profiles of NH3 and Ga on GaN surfaces during the epitaxial growth. Applied Surface Science, 2022, 599, pp.153935. ⟨10.1016/j.apsusc.2022.153935⟩. ⟨hal-03694206⟩

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