Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki / Technical Physics Letters Année : 2021

Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates

Nikolay Cherkashin
Matériaux et dispositifs pour l'Electronique et le Magnétisme
CV
A. Sakharov
  • Fonction : Auteur
A. Nikolaev
  • Fonction : Auteur
V. Lundin
  • Fonction : Auteur
S. Usov
  • Fonction : Auteur
V. Ustinov
  • Fonction : Auteur
A. Grashchenko
  • Fonction : Auteur
S. Kukushkin
  • Fonction : Auteur
A. Osipov
  • Fonction : Auteur
A. Tsatsul’nikov
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Nikolay Cherkashin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03690810

Soumis le : mercredi 8 juin 2022-15:51:40

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

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Citer

Nikolay Cherkashin, A. Sakharov, A. Nikolaev, V. Lundin, S. Usov, et al.. Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates. Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki / Technical Physics Letters, 2021, 47 (10), pp.753-756. ⟨10.1134/S106378502108006X⟩. ⟨hal-03690810⟩

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