Homo epitaxial n-doped GaN layers investigation using Raman Spectroscopy for Vertical device applications

Atse Julien Eric N’dohi (1, 2) , Camille Sonneville (1, 2) , Thi Huong Ngo (3) , P. de Mierry (3) , Éric Frayssinet (3) , Yvon Cordier (3) , Dominique Planson (1, 2)

1 EE - Ampère, Département Energie Electrique
2 INSA Lyon - Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
3 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique; Matériaux; Energie électrique

Atse Julien Eric N’dohi, Camille Sonneville, Thi Huong Ngo, P. de Mierry, Éric Frayssinet, et al.. Homo epitaxial n-doped GaN layers investigation using Raman Spectroscopy for Vertical device applications. EXMATEC / WOCSDICE 2021 : 15th Expert Evaluation and Control of Compounds of Semiconductor Materials and Technologies, Jun 2021, Bristol, United Kingdom. ⟨hal-03676503⟩