Ultrafast laser writing deep inside silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Ultrafast laser writing deep inside silicon

Résumé

We generate and apply ultrafast trains of infrared pulses with durations ranging from 200 fs to 3.5 ns. We show how this gives unique multi-timescale control parameters for improved energy deposition and reliable 3D laser writing deep inside silicon.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03613382 , version 1 (23-03-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03613382 , version 1

Citer

Andong Wang, Amlan Das, Olivier Utéza, David Grojo. Ultrafast laser writing deep inside silicon. ICALEO 2021, 2021, Orlando, United States. pp.#Micro191. ⟨hal-03613382⟩
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