Article Dans Une Revue
SCIREA
Année : 2019
Joelle Sulian : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03544480
Soumis le : mercredi 26 janvier 2022-16:42:49
Dernière modification le : vendredi 5 août 2022-14:41:30
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03544480 , version 1
Citer
Huynh van Cong, Paul Blaise, Olivier Henri-Rousseau. Effects of Heavy Doping and Impurity Size on Minority-Carrier Transport Parameters in Heavily (lightly) Doped n(p)-Type Crystalline Silicon at 300K, Applied to determine the Performance of n+-p Junction Solar Cells. SCIREA, 2019, 4 (5), pp.126.162. ⟨hal-03544480⟩
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