Atomic Layer Etching of Gallium Nitride (GaN) using fluorinated chemistry - Archive ouverte HAL

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Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Atomic Layer Etching of Gallium Nitride (GaN) using fluorinated chemistry

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Lamiae Hamraoui

Fonction : Auteur
PersonId : 1104473
IdHAL : lamiae-hamraoui

Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés

Thomas Tillocher

Fonction : Auteur
PersonId : 7479
IdHAL : thomas-tillocher
ORCID : 0000-0002-9160-5595
IdRef : 120339072

Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés

Philippe Lefaucheux

Fonction : Auteur
PersonId : 874204

Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés

Remi Dussart

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Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés

Mohamed Boufnichel

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STMicroelectronics [Tours]

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Thomas Tillocher : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : vendredi 21 janvier 2022-16:30:21

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:25

Dates et versions

hal-03539418 , version 1 (21-01-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-03539418 , version 1

Citer

Lamiae Hamraoui, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel. Atomic Layer Etching of Gallium Nitride (GaN) using fluorinated chemistry. 42nd International Symposium on Dry Process, Nov 2021, Online, Japan. ⟨hal-03539418⟩

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