Communication Dans Un Congrès
Année : 2021
Thomas Tillocher : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03539418
Soumis le : vendredi 21 janvier 2022-16:30:21
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03539418 , version 1
Citer
Lamiae Hamraoui, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel. Atomic Layer Etching of Gallium Nitride (GaN) using fluorinated chemistry. 42nd International Symposium on Dry Process, Nov 2021, Online, Japan. ⟨hal-03539418⟩
Collections
30
Consultations
0
Téléchargements