Electro-thermal limitations and device degradation of SiGe HBTs with emphasis on circuit performance (Invited) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Electro-thermal limitations and device degradation of SiGe HBTs with emphasis on circuit performance (Invited)

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03408053 , version 1 (07-11-2022)

Identifiants

Citer

Sebastien Fregonese, Mukherjee Chhandak, Holger Rucker, Pascal Chevalier, Gerhard Fischer, et al.. Electro-thermal limitations and device degradation of SiGe HBTs with emphasis on circuit performance (Invited). 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Dec 2021, Monterey, United States. ⟨10.1109/BCICTS50416.2021.9682476⟩. ⟨hal-03408053⟩
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