Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
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https://hal.science/hal-03335834
Soumis le : lundi 6 septembre 2021-15:19:37
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
W. Wei, D. D. Fazio, U. Sassi, A. C. Ferrari, E. Pallecchi, et al.. Graphene field effect transistors with optimized contact resistance for current gain. 75th Annual Device Research Conference, DRC 2017, Jun 2017, South Bend, IN, USA, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/DRC.2017.7999420⟩. ⟨hal-03335834⟩
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