Stress-dependent hole effective masses and piezoresistive properties of p -type monocrystalline and polycrystalline silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Physical Review B Année : 1998

Stress-dependent hole effective masses and piezoresistive properties of p -type monocrystalline and polycrystalline silicon

P. Kleimann
  • Fonction : Auteur
B. Semmache
  • Fonction : Auteur
Martine Le Berre
INL - Dispositifs Electroniques
CV
D. Barbier
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics] Sciences de l'ingénieur [physics]

Martine LE BERRE  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03328850

Soumis le : lundi 30 août 2021-14:05:24

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:22

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Dates et versions

hal-03328850 , version 1 (30-08-2021)

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Citer

P. Kleimann, B. Semmache, Martine Le Berre, D. Barbier. Stress-dependent hole effective masses and piezoresistive properties of p -type monocrystalline and polycrystalline silicon. Physical Review B, 1998, 57 (15), pp.8966-8971. ⟨10.1103/PhysRevB.57.8966⟩. ⟨hal-03328850⟩

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