Smart way to adjust Schottky barrier height in 130 nm BiCMOS process for sub-THz applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Smart way to adjust Schottky barrier height in 130 nm BiCMOS process for sub-THz applications

Vincent Gidel
  • Fonction : Auteur
Frederic Gianesello
  • Fonction : Auteur
Pascal Chevalier
  • Fonction : Auteur
Gregory Avenier
  • Fonction : Auteur
Nicolas Guitard
  • Fonction : Auteur
Michel Buczko
  • Fonction : Auteur
Cyril Luxey
  • Fonction : Auteur

Résumé

In this paper, an innovative Schottky diode architecture is proposed and implemented in 130 nm BiCMOS technology. A state-of-the-art 1 THz cut-off frequency is measured and an innovative way to modify the height of the Schottky barrier is proposed. This smart way could enable zero-bias high-frequency circuit designs with a very low height value of the Schottky barrier in advanced BiCMOS technology without requiring any custom implantation.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03322813 , version 1 (19-08-2021)

Identifiants

Citer

Vincent Gidel, Frederic Gianesello, Pascal Chevalier, Gregory Avenier, Nicolas Guitard, et al.. Smart way to adjust Schottky barrier height in 130 nm BiCMOS process for sub-THz applications. IEEE Radio and Wireless Symposium (RWS), Jan 2020, San Antonio, United States. ⟨10.1109/RWS45077.2020.9050042⟩. ⟨hal-03322813⟩
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