Influence of the gate leakage current on the noise performance of MESFETs and MODFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 1993
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03317746 , version 1 (07-08-2021)

Identifiants

Citer

Francois Danneville, Gilles Dambrine, H. Happy, A. Cappy. Influence of the gate leakage current on the noise performance of MESFETs and MODFETs. 1993 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Jun 1993, Atlanta, United States. pp.373-376 vol.1, ⟨10.1109/mwsym.1993.276800⟩. ⟨hal-03317746⟩
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