GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]
invited_TWHM_abstract.pdf (641.01 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Farid Medjdoub  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03298882

Soumis le : samedi 24 juillet 2021-20:45:08

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-03298882 , version 1 (24-07-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03298882 , version 1

Citer

Ezgi Dogmus, Malek Zegaoui, F Medjdoub. GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts: [Invited]. TWHM 2017(12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics), Aug 2017, Kirishima, Japan. ⟨hal-03298882⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
16 Consultations
19 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More