GaN-based HEMTs for mm-wave applications

Kathia Harrouche (1) , F Medjdoub (1, 2)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 WIND - IEMN - WIde baNd gap materials and Devices - IEMN

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Kathia Harrouche, F Medjdoub. GaN-based HEMTs for mm-wave applications. Nitride Semiconductor Technology: Power Electronics and Optoelectronic Devices, 2020, ISBN 978-3-527-34710-0 ; e-ISBN 978-3-527-82525-7. ⟨hal-03287288⟩