Surface capping of AlInN/GaN HEMT structures

F Medjdoub (1) , D. Ducatteau (1) , Christophe Gaquière (1, 2) , J.-F Carlin (3) , M Gonschorek (3) , E Feltin (3) , M A Py (3) , N Grandjean (3) , E Kohn (4)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 PUISSANCE - IEMN - Puissance - IEMN
3 EPFL - Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne
4 UUlm - University of Ulm

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

F Medjdoub, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, J.-F Carlin, M Gonschorek, et al.. Surface capping of AlInN/GaN HEMT structures. European Workshop on III-Nitride Semiconductor Materials and Devices, Sep 2006, Heraklion, Greece. ⟨hal-03281380⟩