Study of the modal contributions to the heat flux to characterize the phonon transport regime in Si/Ge heterojunctions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Study of the modal contributions to the heat flux to characterize the phonon transport regime in Si/Ge heterojunctions

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

Jérôme Saint-Martin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03254218

Soumis le : mardi 29 juin 2021-09:26:28

Dernière modification le : mercredi 21 février 2024-10:34:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03254218 , version 1 (29-06-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03254218 , version 1

Citer

Ngoc Duc Le, Brice Davier, Philippe Dollfus, Jérôme Saint-Martin. Study of the modal contributions to the heat flux to characterize the phonon transport regime in Si/Ge heterojunctions. 21st International Workshop on Computational Nanotechnology (IWCN) 2021, May 2021, Online, South Korea. ⟨hal-03254218⟩

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