Characterization of Group III-Nitride (GaN, AlGaN, InGaN) and modelization via the virtual interface model of the in situ general incidence reflectance in multilayers during MOCVD process - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Rapport (Rapport De Recherche) Année : 1998

Characterization of Group III-Nitride (GaN, AlGaN, InGaN) and modelization via the virtual interface model of the in situ general incidence reflectance in multilayers during MOCVD process

Bruno Bêche
Université de Rennes
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Optique / photonique Physique Générale [physics.gen-ph]

Bruno Bêche  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-03251268

Soumis le : dimanche 6 juin 2021-21:34:44

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:22

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Dates et versions

hal-03251268 , version 1 (06-06-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03251268 , version 1

Citer

Bruno Bêche. Characterization of Group III-Nitride (GaN, AlGaN, InGaN) and modelization via the virtual interface model of the in situ general incidence reflectance in multilayers during MOCVD process. [Research Report] ‘NTT Basic Research Laboratories’, Vapor Phase Epitaxy Research group. 1998. ⟨hal-03251268⟩

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