Corrigendum to ‘Electron-transport polymeric gold nanoparticles memory device, artificial synapse for neuromorphic applications’ [Organic Electronics Volume 50 (2017) 499-506]

B. Hafsi (1, 2) , A. Boubaker , David Guérin (1) , Stéphane Lenfant (1, 2) , S. Desbief (3) , F. Alibart (1, 2) , A. Kalboussi (4) , Dominique Vuillaume (1, 2) , K. Lmimouni (1, 2)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 NCM - IEMN - Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN
3 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
4 Laboratoire de Microélectronique et Instrumentations [Monastir]

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

B. Hafsi, A. Boubaker, David Guérin, Stéphane Lenfant, S. Desbief, et al.. Corrigendum to ‘Electron-transport polymeric gold nanoparticles memory device, artificial synapse for neuromorphic applications’ [Organic Electronics Volume 50 (2017) 499-506]. 2018, pp.277-278. ⟨10.1016/j.orgel.2018.02.023⟩. ⟨hal-03183482⟩