Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls

Mathieu de Lafontaine (1, 2, 3) , Erwine Pargon (3) , Camille Petit-Etienne (3) , Sylvain David (3) , Jean-Paul Barnes (4) , Névine Rochat (4) , Abdelatif Jaouad (1, 2) , Maïté Volatier (1, 2) , Simon Fafard (1, 2) , Vincent Aimez (1, 2) , Maxime Darnon (1, 2)

1 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke]
2 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
3 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Mathieu de Lafontaine, Erwine Pargon, Camille Petit-Etienne, Sylvain David, Jean-Paul Barnes, et al.. Anisotropic and low damage III-V/Ge heterostructure etching for multijunction solar cell fabrication with passivated sidewalls. Micro and Nano Engineering, 2021, pp.100083. ⟨10.1016/j.mne.2021.100083⟩. ⟨hal-03171055⟩