Lasing up to 380 K in a sublimated GaN nanowire

S. Sergent; B. Damilano; S. Vézian; S. Chenot; T. Tsuchizawa; M. Notomi

doi:10.1063/5.0004771

Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2020

Lasing up to 380 K in a sublimated GaN nanowire

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S. Sergent

Fonction : Auteur

B. Damilano

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ORCID : 0000-0001-7127-4461
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S. Vézian

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Soumis le : jeudi 26 novembre 2020-09:12:32

Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03

Archivage à long terme le : samedi 27 février 2021-18:20:18

Dates et versions

hal-03024869 , version 1 (26-11-2020)

Identifiants

HAL Id : hal-03024869 , version 1
DOI : 10.1063/5.0004771

Citer

S. Sergent, B. Damilano, S. Vézian, S. Chenot, T. Tsuchizawa, et al.. Lasing up to 380 K in a sublimated GaN nanowire. Applied Physics Letters, 2020, 116 (22), pp.223101. ⟨10.1063/5.0004771⟩. ⟨hal-03024869⟩

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