Freestanding-quality dislocation density in semipolar GaN epilayers grown on SOI: aspect ratio trapping

Rami Mantach (1) , Philippe Vennéguès (1) , Jesus Zúñiga-Pérez (1) , Philippe de Mierry (1) , Marc Portail (1) , Guy Feuillet (2)

1 CRHEA - Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Domaines: Matière Condensée [cond-mat]

Rami Mantach, Philippe Vennéguès, Jesus Zúñiga-Pérez, Philippe de Mierry, Marc Portail, et al.. Freestanding-quality dislocation density in semipolar GaN epilayers grown on SOI: aspect ratio trapping. Applied Physics Express, 2020, 13 (11), pp.115504. ⟨10.35848/1882-0786/abc1cd⟩. ⟨hal-03013787⟩