Solid-state memories based on ferroelectric tunnel junctions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nature Nanotechnology Année : 2012

Solid-state memories based on ferroelectric tunnel junctions

André Chanthbouala
  • Fonction : Auteur
Arnaud Crassous
  • Fonction : Auteur
Vincent Garcia
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
CV
Karim Bouzehouane
  • Fonction : Auteur
Stéphane Fusil
  • Fonction : Auteur
Xavier Moya
  • Fonction : Auteur
Julie Allibe
  • Fonction : Auteur
Bruno Dlubak
Julie Grollier
Stéphane Xavier
  • Fonction : Auteur
Cyrile Deranlot
  • Fonction : Auteur
Amir Moshar
  • Fonction : Auteur
Roger Proksch
  • Fonction : Auteur
Neil Mathur
  • Fonction : Auteur
Manuel Bibes
CV
Agnès Barthélémy

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Soumis le : lundi 16 novembre 2020-14:32:59

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hal-03007651 , version 1 (16-11-2020)

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Citer

André Chanthbouala, Arnaud Crassous, Vincent Garcia, Karim Bouzehouane, Stéphane Fusil, et al.. Solid-state memories based on ferroelectric tunnel junctions. Nature Nanotechnology, 2012, 7 (2), pp.101-104. ⟨10.1038/nnano.2011.213⟩. ⟨hal-03007651⟩

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