Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2014
Vincent Garcia : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03007589
Soumis le : lundi 16 novembre 2020-14:12:06
Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54
Citer
S. Boyn, S. Girod, Vincent Garcia, S. Fusil, S. Xavier, et al.. High-performance ferroelectric memory based on fully patterned tunnel junctions. Applied Physics Letters, 2014, 104 (5), pp.052909. ⟨10.1063/1.4864100⟩. ⟨hal-03007589⟩
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