Towards SiC thyristors with amplifying gate design - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02983373 , version 1 (29-10-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02983373 , version 1

Citer

Ralf Hassdorf, Sigo Scharnholz, Dirk Bauersfeld, Bertrand Vergne, Luong Viêt Phung, et al.. Towards SiC thyristors with amplifying gate design. Symposium de Génie Electrique (SGE'18), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. ⟨hal-02983373⟩
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