Transistors Haute Tension de type MOSFET et MESFET en diamant pour l'électronique de puissance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Transistors Haute Tension de type MOSFET et MESFET en diamant pour l'électronique de puissance

Cédric Masante
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1080395
Thanh-Toan Pham
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 988483
Gaetan Perez
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 988482
Julien Pernot
Nicolas C. Rouger
Gauthier Chicot
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 951612

Résumé

Deux types de transistors à effet de champ seront présentés, permettant d'exploiter pleinement les caractéristiques du diamant monocristallin pour l'électronique de puissance. Les transistors fonctionnent en régime de déplétion profonde et la polarisation d'une grille Schottky (MESFET) ou isolée (MOSFET) permet l'obtention de l'état bloqué ou passant des transistors. L'intérêt de ces structures est d'obtenir une conduction « volumique » dans le diamant, tirant bénéfice de la haute mobilité des porteurs (état passant) et de la tenue diélectrique (état bloqué) du diamant. Deux preuves de concept expérimentales sont présentées : MESFET à tenue en tension supérieure à 2kV et faible résistance, et MOSFET à tenue en tension supérieure à 200V avec haute mobilité et faibles fuites.
Fichier principal
Vignette du fichier
Proceeding_DiamondFET.pdf (582.19 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-02981917 , version 1 (28-10-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02981917 , version 1

Citer

Cédric Masante, Khaled Driche, Thanh-Toan Pham, Hitoshi Umezawa, Gaetan Perez, et al.. Transistors Haute Tension de type MOSFET et MESFET en diamant pour l'électronique de puissance. Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. ⟨hal-02981917⟩
83 Consultations
257 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More