Communication Dans Un Congrès
Année : 2020
Raphael Sommet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02968583
Soumis le : vendredi 16 octobre 2020-00:16:20
Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02968583 , version 1
- DOI : 10.1109/INMMiC46721.2020.9160114
Citer
Khushboo Sharma, Emmanuel Dupouy, Mohamed Bouslama, Raphaël Sommet, Jean-Christophe Nallatamby. Impact of the Location of Iron Buffer Doping on Trap Signatures in GaN HEMTs. 2020 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC), Jul 2020, Cardiff, United Kingdom. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMiC46721.2020.9160114⟩. ⟨hal-02968583⟩
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