Article Dans Une Revue
Electronic Device Failure Analysis
Année : 2019
Yannick Guhel : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02936089
Soumis le : vendredi 11 septembre 2020-01:21:03
Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02936089 , version 1
Citer
B. Boudart, Y. Guhel. ‘Measuring Temperature in GaN HEMTs: An approach based on Raman Spectroscopy’. Electronic Device Failure Analysis, 2019. ⟨hal-02936089⟩
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