Communication Dans Un Congrès
Année : 2018
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https://hal.science/hal-02877233
Soumis le : lundi 22 juin 2020-10:46:59
Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04
Citer
D. Boudier, B Cretu, E. Simoen, A. Veloso, N. Collaert. Discussion on the 1/f noise behavior in Si gate-all-around nanowire MOSFETs at liquid helium temperatures. 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Mar 2018, Granada, France. pp.1-4, ⟨10.1109/ULIS.2018.8354739⟩. ⟨hal-02877233⟩
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