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Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Adsorption, desorption and reactivity of O and N atoms on SiO2 surface

Antoine Rousseau
Laboratoire de Physique des Plasmas

Domaines

Physique des plasmas [physics.plasm-ph]

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https://hal.science/hal-02573388

Soumis le : jeudi 14 mai 2020-12:10:16

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Identifiants

  • HAL Id : hal-02573388 , version 1

Citer

Antoine Rousseau. Adsorption, desorption and reactivity of O and N atoms on SiO2 surface. 9th EU-Japan Joint Plasma Processing Symposium JSPP2014, Jan 2014, Bohinjska Bistrica, Slovenia. ⟨hal-02573388⟩

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