Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures
Année : 2001
Regis Andre : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02552839
Soumis le : jeudi 23 avril 2020-19:06:19
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:30:59
Citer
Y. Hong, R. Andre, C. Tu. Gas-source molecular beam expitaxy of GaInNP/GaAs and a study of its band lineup. Journal of Vacuum Science & Technology B Microelectronics and Nanometer Structures, 2001, 19 (4), pp.1413. ⟨10.1116/1.1381069⟩. ⟨hal-02552839⟩
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