New method to induce 2D–3D transition of strained CdSe/ZnSe layers

I.C. Robin (1) , Régis André (2) , H. Mariette (2) , S. Tatarenko , Le Si Dang , J.M. Gérard (3) , E. Bellet-Amalric (3)

1 DOPT - Département d'Optronique
2 LSP - Laboratoire de Spectrométrie Physique
3 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines: Physique [physics]

I.C. Robin, Régis André, H. Mariette, S. Tatarenko, Le Si Dang, et al.. New method to induce 2D–3D transition of strained CdSe/ZnSe layers. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2005, 26 (1-4), pp.119-123. ⟨10.1016/j.physe.2004.08.036⟩. ⟨hal-02550942⟩