Comparison between Sputtering and Atomic Layer Deposition of ferroelectric doped and undoped HfO2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2017

Comparison between Sputtering and Atomic Layer Deposition of ferroelectric doped and undoped HfO2

Jordan Bouaziz
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
Bertrand Vilquin
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
CV
Pedro Rojo Romeo
INL - Nanophotonique
Nicolas Baboux
INL - Dispositifs Electroniques
Bruno Masenelli
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Matériaux
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Soumis le : vendredi 13 mars 2020-16:37:08

Dernière modification le : vendredi 4 août 2023-15:15:17

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hal-02506676 , version 1 (13-03-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02506676 , version 1

Citer

Jordan Bouaziz, Bertrand Vilquin, Pedro Rojo Romeo, Nicolas Baboux, Bruno Masenelli. Comparison between Sputtering and Atomic Layer Deposition of ferroelectric doped and undoped HfO2. EMRS Spring Meeting 2017, May 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-02506676⟩

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