Advantages of TCAD simulation towards inverstigation of reliability concerns in GaN HEMTs for RF power applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Advantages of TCAD simulation towards inverstigation of reliability concerns in GaN HEMTs for RF power applications

Domaines

Electronique

Arnaud Curutchet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02462765

Soumis le : vendredi 31 janvier 2020-15:02:56

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02462765 , version 1 (31-01-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02462765 , version 1

Citer

Kalparupa Mukherjee, Frederic Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. Advantages of TCAD simulation towards inverstigation of reliability concerns in GaN HEMTs for RF power applications. BEE Week at IEEE IM an MTT-S Day, IEEE student Branch, Nov 2017, Bordeaux, France. ⟨hal-02462765⟩

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