Communication Dans Un Congrès
Année : 2017
Arnaud Curutchet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02462694
Soumis le : vendredi 31 janvier 2020-14:40:01
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02462694 , version 1
Citer
Kalparupa Mukherjee, Frederic Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices. ESREF 2017, Sep 2017, Bordeaux, France. ⟨hal-02462694⟩
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