Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2017

Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability

Domaines

Electronique

Arnaud Curutchet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02462652

Soumis le : vendredi 31 janvier 2020-14:25:21

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-02462652 , version 1 (31-01-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02462652 , version 1

Citer

Laurent Brunel, Benoit Lambert, Dominique Carisetti, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, et al.. Electrical Runaway in AlGaN/GaN HEMTs: Physical Mechanisms and Impact on Reliability. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64 (4), pp.1548-1553. ⟨hal-02462652⟩

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